| 发明名称 | 双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺 | ||
| 摘要 | 一种双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺,其特征在于用双离子束轰击制作混合界面,低能离子束直接沉积类金刚石膜;用低能含碳离子束直接沉积类金刚石膜层,同时用中能Ar<SUP>+</SUP>离子束轰击膜层,将碳离子注入到基体表层足够的深度,以混合膜基原子形成能显著提高膜粘结强度的模糊界面,在此过程中两离子束束流进行交替变化,界面混合一定时间后,停止中能离子束轰击,低能含碳离子束继续直接沉积类金刚石膜。本发明通过增加碳注入衬底表层的深度和降低膜应力而增强类金刚石膜的粘结强度,其操作简便,膜质量稳定,能适应工业化生产,应用前景十分广阔。 | ||
| 申请公布号 | CN1348018A | 申请公布日期 | 2002.05.08 |
| 申请号 | CN01128592.3 | 申请日期 | 2001.09.12 |
| 申请人 | 湖南大学 | 发明人 | 周灵平;朱启良;李绍禄;过骐千;林美娟;黄桂芳;王锦辉;李德意;厉学文;靳九成;吴玉珍;唐应时;白玉兰;汪亮明;李夏平 |
| 分类号 | C23C14/06 | 主分类号 | C23C14/06 |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人 | 赵洪 |
| 主权项 | 1、一种双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺，其特征在于用双离子束轰击制作混合界面，低能离子束直接沉积类金刚石膜。 | ||
| 地址 | 410082湖南省长沙市岳麓山湖南大学材料科学与工程学院 | ||