发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种制造半导体器件,例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下,选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物,得到结晶硅膜,再以它们作起始点,在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜,然后再使其热结晶化,构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时,得到漏电小和迁移率高的晶体管。 | ||
申请公布号 | CN1348199A | 申请公布日期 | 2002.05.08 |
申请号 | CN01133094.5 | 申请日期 | 1993.12.04 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;福永健司;竹村保彦 |
分类号 | H01L21/20;H01L21/00;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/20 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非 |
主权项 | 1.在绝缘表面上形成的半导体器件,所述器件包括:包括结晶硅的一个半导体岛;在所述半导体岛中形成的源,漏和沟道区;和所述半导体岛相邻的一个栅电极,有一个栅绝缘膜置于其间;其中所述半导体岛包括一种材料,选自包括Ni,Fe,Co,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Sc,Ti,V,Cr,Mn,Cu,Zn,Au,和Ag的组,在整个半导体岛上有基本均匀的浓度。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |