发明名称 具有负电阻温度系数的半导体陶瓷和负温度系数热敏电阻
摘要 一种具有负电阻温度系数的半导体陶瓷,该单元包括约0.1~20mol%的AMnO<SUB>3</SUB>,其中A代表Ca、Sr、Ba、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy与Ho中的至少一种;和一种由Mn固溶液与Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mg与Al中至少一种元素组成的尖晶石复合氧化物。作为一种钙钛矿Mn复合氧化物,可以使用CaMnO<SUB>3</SUB>、SrMnO<SUB>3</SUB>、BaMnO<SUB>3</SUB>、LaMnO<SUB>3</SUB>、PrMnO<SUB>3</SUB>、NdMnO<SUB>3</SUB>、SmMnO<SUB>3</SUB>、EuMnO<SUB>3</SUB>、GdMnO<SUB>3</SUB>、TbMnO<SUB>3</SUB>、DyMnO<SUB>3</SUB>与HoMnO<SUB>3</SUB>中的一种或多种。
申请公布号 CN1348192A 申请公布日期 2002.05.08
申请号 CN01135468.2 申请日期 2001.10.11
申请人 株式会社村田制作所 发明人 中山晃慶;藤田聡
分类号 H01C7/04;H01B3/12;C04B35/00 主分类号 H01C7/04
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 沈昭坤
主权项 1、一种具有负电阻温度系数的半导体陶瓷,其特征在于包括:尖晶石复合氧化物,包括Mn固溶液和选自Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mg与Al组成的组中的至少一种元素;和约0.1~20mol%的AMnO3,其中A是至少一种选自Ca、Sr、Ba、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy与Ho的元素。
地址 日本京都府