有机薄膜半导体器件的制造方法

摘要

在制造包含由电极与半导体有机材料相接触组成的电极排列的有机薄膜半导体器件的方法中,电极排列中的阳极被制作成两层结构,其中第一层是沉积在衬底上的导电或半导体材料或二者的组合,第二层是功函数高于第一层中材料的功函数的导电聚合物。在阳极顶上沉积由半导体有机材料组成的第三层,后者构成器件的有源材料,最后在第三层上沉积第四层金属制成的阴极。在优选的实施方案中,第一层中采用低功函数金属;第二层中用诸如PEDOT－PSS之类的掺杂共轭聚合物,而阴极则由与第一层所使用的相同金属构成。该电极排列在制造有机薄膜二极管或晶体管结构中的应用。

主权项

1.一种制造有机薄膜半导体器件的方法，其中半导体器件包含由电极与半导体有机材料相接触构成的电极排列，并且其中该方法的特征在于：在绝缘衬底上以图形或非图形层形式沉积导电或半导体材料或者导电与半导体材料的组合的第一层，使得衬底的至少一部分被第一层覆盖；通过沉积上功函数高于第一层中材料的导电聚合物第二层使导电聚合物层基本上覆盖第一层或者与后者共形，来改变第一层导电和/或半导体材料的功函数，借此，第一层与第二层的组合构成电极排列的阳极，并且该阳极的功函数变得基本上等于该导电聚合物的功函数；在该阳极顶上，以及任选地在仅有一部分衬底被阳极覆盖的情况下，也在至少某些没有被阳极覆盖的那部分衬底上面沉积半导体有机材料的第三层；以及在第三层顶上沉积由金属组成的图形或非图形第四层，于是，该第四层便构成电极排列的阴极。