SINGLE TRANSISTOR NON-VOLATILE ELECTRICALLY ALTERABLE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH A RE-CRYSTALLIZED FLOATING GATE,申请号EP19910904033-传众专利搜索

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发明名称	SINGLE TRANSISTOR NON-VOLATILE ELECTRICALLY ALTERABLE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH A RE-CRYSTALLIZED FLOATING GATE
摘要
申请公布号	EP0464196(B1)	申请公布日期	2002.05.08
申请号	EP19910904033	申请日期	1991.01.18
申请人	SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.	发明人	YEH, BING;JENQ, CHING-SHI
分类号	H01L21/28;H01L29/423;H01L29/788;(IPC1-7):H01L27/02;H01L29/78;H01L21/70;G11C11/40	主分类号	H01L21/28
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