| 发明名称 | 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法。该器件包括靠近基片梳形平行的第一电极和第二电极,远离基片的第三电极,以及夹在所述第一、第二电极和第三电极之间的有机半导体层和绝缘层。该制备方法中的绝缘层采用具有良好绝缘性能的有机材料,通过全蒸镀法正向制备有机薄膜场效应晶体管,从而有效增大了晶体管的饱和电流,缩小了晶体管面积。 | ||
| 申请公布号 | CN1348222A | 申请公布日期 | 2002.05.08 |
| 申请号 | CN01134676.0 | 申请日期 | 2001.11.09 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 董桂芳;胡远川;王立铎;邱勇;高裕弟 |
| 分类号 | H01L51/20;H01L51/40;H01L51/30 | 主分类号 | H01L51/20 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种有机薄膜场效应晶体管，其包括第一电极和第二电极，以及第三电极，以及夹在所述第一、第二电极和第三电极之间的有机半导体层和绝缘层，其特征在于第一电极和第二电极靠近基片，第三电极远离基片。 | ||
| 地址 | 100084北京市清华大学液晶大楼4524房间 | ||