参考电压半导体

摘要

随着温度变化具有小的输出电压变化的参考电压电路,并且提供了制造该参考电压电路的方法。在参考电压电路中,包含E型MOS和D型MOS作为其结构部件,E型MOS的栅的极性是阈晶体管的栅的极性相反的导电型,D型MOS的栅的极性是与晶体管一样的导电型,从而E型MOS和D型MOS都是掩埋沟道型。此外,为了设定预定的阈值,对于E型MOS和D型MOS,反沟道掺杂的剂量基本上相同。这样,对于两个MOSs,可以使阈值电压和互导随温度变化的变化程度相同。因此能够提供一种参考电压电路,该参考电压电路随温度的变化,输出电压具有很小的变化。

主权项

1.一种半导体器件，包括参考电压电路，其中一种导电型的增强MOS晶体管的栅和漏短路，一种导电型的耗尽MOS晶体管的栅和源短路，一种导电型的增强MOS晶体管的栅和漏与一种导电型的耗尽MOS晶体管的的栅和源连接，用此连接点作为输出节点，其特征在于，一种导电型的增强MOS晶体管的栅极的极性是相反的导电型，一种导电型的耗尽MOS晶体管的栅极的极性是一种导电型。