Method for forming epitaxial layer of semiconductor device

摘要

본 발명은 증착 속도를 높여 열적 결함(thermal budget)줄일 수 있도록한 반도체 소자의 에피택셜층 형성 방법에 관한 것으로, Si 단결정 성장 공정에 있어서, Si 기판을 선택적으로 노출시킨후 공정 압력을 100torr ~ 400torr까지의 범위에서 DCS/HCl/H를 각각 100 ~ 500sccm, 100 ~ 900sccm, 40 ~ 100slm 동시에 유입시켜 Si 에피택셜층을 성장시키는 것을 특징으로 한다.