| 摘要 |
<p>본 발명은 누설전류를 감소시키는데 적당한 반도체 소자의 격리 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판상에 패드 산화막, 제 1 질화막을 차례로 형성하는 공정, 상기 제 1 질화막, 패드 산화막을 선택적으로 식각하는 공정, 상기 제 1 질화막을 마스크로 하여 상기 실리콘 기판의 소정 영역을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정, 상기 트렌치 표면에 희생 산화막을 형성하는 공정, 상기 희생 산화막을 제거하고 상기 트렌치 표면에 수소 처리하는 공정, 상기 수소 처리된 트렌치 표면을 포함한 전면에 제 2 질화막을 형성하는 공정, 상기 제 2 질화막상에 절연막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.</p> |
