| 摘要 |
<p>본 발명은 기판 상에 증착된 금속 박막(예를 들어, 구리 또는 금)의 미세 구조(microstructure)에서의 입자 성장(grain growth)을 제어하는 공정에 관한 것이다. 일실시예에서, 금속막은 기판 상에 증착되어 미세 입자의 미세 구조(fine-grained microstructure)를 갖는 막을 형성한다. 막은 70-100 ℃의 온도 범위에서 적어도 5 분 동안 가열되며, 여기서 미세 입자의 미세 구조는 안정된 큰 입자의 미세 구조(large-grained microstructure) 구조로 변형된다. 다른 실시예에서, 도금된 막이 증착 단계 후 -20 ℃보다 낮은 온도에 저장되며, 여기서 미세 입자의 미세 구조는 전체 저장 기간 동안 입자 성장 없이 안정된다.</p> |
