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发明名称 SEMICONDUCTOR STRUCTURES USING A GROUP III-NITRIDE QUATERNARY MATERIAL SYSTEM
摘要
申请公布号 EP1201012(A1) 申请公布日期 2002.05.02
申请号 EP20000935429 申请日期 2000.03.01
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 发明人 TAKAYAMA, TORU;BABA, TAKAAKI;HARRIS, JAMES, E., JR.
分类号 H01L31/103;H01L33/32;H01S5/323;H01S5/343;(IPC1-7):H01S5/343;H01L33/00 主分类号 H01L31/103
代理机构 代理人
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