| 摘要 |
<p>In einer Isolationsschicht (4), die den Speicherkondensator von einem Schalttransistor trennt, ist eine durchgehende Kontaktlochöffnung (41) geformt, die bis auf einen Abschnitt mit Poly-Si befüllt ist, auf dem Poly-Si sind in dem verbleibenden Abschnitt der Kontaktlochöffnung (41) eine leitfähige, oxidierbare Zwischenschicht (42) und eine leitfähige Sauerstoffbarrierenschicht (43) derart abgeschieden, daß die Zwischenschicht (42) vollständig von dem Poly-Si der Kontaktlochöffnung (41), der Isolationsschicht (41) und der Barrierenschicht (43) umgeben ist. <IMAGE></p> |
