Method for fabricating a p-type graded composition ohmic contact for p-type II-VI semiconductors,申请号EP19940906658-传众专利搜索

发明名称	Method for fabricating a p-type graded composition ohmic contact for p-type II-VI semiconductors
摘要
申请公布号	EP0683924(B1)	申请公布日期	2002.05.02
申请号	EP19940906658	申请日期	1994.01.18
申请人	MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY	发明人	QIU, JUN;DEPUYDT, JAMES, M.;CHENG, HWA;HAASE, MICHAEL, A.
分类号	H01L21/28;H01L29/43;H01L29/45;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/28;H01L33/38;H01L33/40;H01S5/00;H01S5/042;H01S5/22;H01S5/223;H01S5/30;H01S5/327;H01S5/34;H01S5/347;(IPC1-7):H01L33/00;H01L21/44	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
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