Halbleiterspeicherbauelement mit Wortleitungs-Niederspannungszufuhrleitungen

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterspeicherbauelement mit mehreren Zellenfeldern (100), Abtastverstärkungsbereichen (120) zwischen den Zellenfeldern in Zeilenrichtung, Wortleitungstreiberbereichen (140) zwischen den Zellenfeldern in Spaltenrichtung, Verknüpfungsbereichen (160) an Positionen benachbart zu den Abtastverstärkungs- und Wortleitungstreiberbereichen und mehreren Wortleitungs-Niedrigspannungsversorgungsleitungen in wenigstens einem Bereich. DOLLAR A Erfindungsgemäß sind die Wortleitungs-Niedrigspannungsversorgungsleitungen (VssW) in dem wenigstens einen Bereich elektrisch miteinander verbunden. DOLLAR A Verwendung z. B. für DRAM-Bauelemente.