Semi-conductor memory device

摘要

본 발명은 고속의 액세스동작을 실현하는 반도체 메모리장치에 관한 것으로, 특히 발생된 결함이 로우나 컬럼의 한방향에 대해 완전구제시 이를 알리는 특정신호를 발생시켜 나머지 한방향에 대한 결함 구제로직을 비활성화시키도록 제어하므로써, 결함구제로직에서 불필요하게 야기되는 지연현상을 방지하여 데이타 액세스 속도를 고속화하도록 한 반도체 메모리장치에 관한 것이다.