| 摘要 |
<p>레지스트 제거용 조성물에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 레지스트 제거용 조성물은, 10 내지 30 중량%의 아민화합물; 20 내지 60중량%의 글리콜계 용제; 20 내지 60중량%의 극성 용제; 및 0.01 내지 3중량% 퍼플루오로알킬에틸렌옥사이드;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 레지스트 잔류물질 제거용 조성물은 건식 또는 습식 식각, 애싱, 이온주입 등의 공정에 의해 변질되어 기판 상부에 잔류되는 레지스트를 제거하는 성능이 개선됨과 아울러, 알루미늄 등의 각종 금속 막질에 대해 퍼짐성이 우수하면서, 이들에 대한 부식력은 약하다는 장점도 가지고 있다. 특히, 최근 액정표시장치 회로의 제조에 있어 습식에 의한 포토레지스트 제거 공정에 상용화되고 있는 매엽 방식을 채용한 장치의 에어 나이프 공정에서 빈발하는 레지스트 잔류물질의 재부착 문제를 해결할 수 있다.</p> |
