摘要 |
소자분리영역의 형성 방법은 : 반도체기판에 제 1 절연막과 내산화용 퇴적막을 순차 형성하는 단계; 상기 내산화용 퇴적막, 제 1 절연막 및 반도체기판을 이방성 에칭에 의해 순차 가공하여 상기 반도체기판에 트렌치홈을 형성하는 단계; 트렌치홈에 매립된 제 2 절연막의 두께가 트렌치홈의 깊이보다 크게 되도록 오존-TEOS 반응에 의해 트렌치홈에 제 2 절연막을 퇴적하는 단계; 상기 제 2 절연막을 치밀화함과 동시에 제 2 절연막과 반도체기판 사이의 계면을 산화시키도록 전체 표면에 열처리를 실행하는 단계; 상기 제 2 절연막의 표면 및 트렌치홈의 상부 표면을 평탄화하는 단계; 및 상기 내산화용 퇴적막과 제 1 절연막을 제거하여 소자분리영역을 형성하는 단계를 포함한다. |