| 发明名称 |
Prevention method of unwanted programming in a MRAM memory device |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verhinderung unerwünschter Programmierungen in einer MRAM-Anordnung, bei dem durch Kompensationsströme Kompensationsmagnetfelder erzeugt werden, welche Streumagnetfeldern entgegenwirken. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1202284(A2) |
申请公布日期 |
2002.05.02 |
| 申请号 |
EP20010121863 |
申请日期 |
2001.09.11 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
FREITAG, MARTIN, DR.;LAMMERS, STEFAN;GOGL, DIETMAR, DR.;ROEHR, THOMAS, DR. |
| 分类号 |
G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/22;H01L43/08;G11C11/14;(IPC1-7):G11C11/16 |
主分类号 |
G11C11/15 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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