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Bei Verwendung eines senkrechten Kranzrings 13 bei herkömmlichen Abschattungsringen 10 in Plasmabeschichtungsanlagen kann eine Beschichtung der Rückseite des Werkstücks nicht zuverlässig vermieden werden. Seitlich betreffende Teilchen, welche am Kranzring vorbei in den Innenbereich mit dem Werkstück gelangen, können teils unter Abprallen vom Auflagebereich 11 noch an die Rückseite flacher Werkstücke gelangen, insbesondere, wenn diese eine gerundete Seitenkante haben, wie dies bei Wafern häufig der Fall ist. Eine solche partielle Beschichtung des Rückseitenrands des Werkstücks ist jedoch unerwünscht, da es bei späteren Herstellschritten, beispielsweise von Halbleitern, häufig wieder entfernt werden muß. Diese Entfernung ist aufwendig und kostenintensiv. Daher ist die Erfindung gerichtet auf einen Abschattungsring 10 für scheibenförmige Werkstücke in Plasmabeschichtungsanlagen mit einem Auflagebereich 11 zur Auflage des zu beschichtenden Werkstücks und einem senkrecht zum Aufladebereich angeordneten Kranzring 13, wobei eine vom Kranzring gebildete Ringöffnung 14 größer ist als das Werkstück und der Abschattungsring 10 ist dadurch gekennzeichnet, daß die Ringöffung 14 an ihrem Auflagebereich-abgewandten Ende 13a kleiner ist als die Ringöffnung am Auflagebereich-zugewandten Ende 13b, so daß einerseits eine von der Ringöffnung 14 abgewandte Oberfläche des Werkstücks vor einer Beschichtung abgeschirmt ist und daß andererseits während einer vorgegebenen Einsatzdauer des ...
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