发明名称 Ceramic Substrate and Polishing Method Thereof
摘要 <p>지립을 함유하며 변형 능력을 갖는 회전체(11)를 사용하여, 회전체(11)의 원주부에서 세라믹 기판(10)의 표면을 연마한다. 이 때, 세라믹 기판 (10)의 연마 방향 D과 회전체(11)의 회전 방향 D이 이루는 각도 θ를 10°내지 80°로 기울여서 연마를 실시한다. 또한, 연마 공정을 2 단계 이상으로 나누어, 지립의 평균 입경을 연마 단계별로 순차적으로 작게 하여 연마를 실시한다. 본 발명의 방법에 의하면, 대면적이면서 또한 비교적 얇은 세라믹 기판의 표면을, 파손 등을 발생시키지 않고 연마할 수 있어, 평활한 연마면을 갖는 세라믹 기판이 얻어진다. 특히, 이 연마 방법은 두께가 2.0 ㎜ 이하인 세라믹 기판(10)의 연마에 적합하며, 연마에 의해 얻어지는 세라믹 기판은 토너 화상 가열 정착 장치의 세라믹 히터용 기판으로서 적합하다.</p>
申请公布号 KR100334597(B1) 申请公布日期 2002.05.02
申请号 KR19990009755 申请日期 1999.03.23
申请人 null, null 发明人 나쯔하라,마스히로;나까따,히로히꼬;다나까,모또유끼;유시오,야스히사
分类号 B24B7/22;B24B29/00;C04B35/00;C04B35/581;G03G15/20 主分类号 B24B7/22
代理机构 代理人
主权项
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