| 主权项 |
1.一种二层式金属层之蚀刻程序,或一种半导体结构之双镶嵌结构化用之蚀刻程序,此种半导体结构具有多个形成在基板中之功能元件以及一种存在于基板上之介电质(例如,氧化物层),此蚀刻遮罩是由光阻所构成且在此蚀刻遮罩和氧化物层之间嵌入一种聚合物-中间层,其特征为:该氧化物层和双镶嵌结构用之聚合物-中间层之蚀刻是藉由一种对该光阻具有较高选择性之CF4 ARC Open式程序以较长之蚀刻时间来达成。2.如申请专利范围第1项之蚀刻程序,其中此蚀刻时间至少是O2/N2 ARC Open式程序之二倍。3.如申请专利范围第1项之蚀刻程序,其中此蚀刻时间是与蚀刻深度有关而为140秒。4.如申请专利篱围第1.2或3项之蚀刻程序,其中此蚀刻程序是在蚀刻室中以电浆促进方式来进行。5.如申请专利范围第4项之蚀刻程序,其中此蚀刻程序以600W之RF功率来进行。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之蚀刻程序,其中此CF4 ARC Open式程序是藉由CHF3成份来促进。7.如申请专利范围第4项之蚀刻程序,其中此CF4 ARC Open式程序是藉由CHF3成份来促进。8.如申请专利范围第5项之蚀刻程序,其中此CF4ARC Open式程序是藉由CHF3成份来促进。9.如申请专利范围第1至3项中任一项之蚀刻程序,其中CF4流量在ARC Open式程序中调整至40sccm而CHF3流量调整至20sccm。10.如申请专利范围第4项之蚀刻程序,其中CF4流量在ARC Open式程序中调整至40sccm而CHF3流量调整至20sccm。11.如申请专利范围第5项之蚀刻程序,其中CF4流量在ARC Open式程序中调整至40sccm而CHF3流量调整至20sccm。12.如申请专利范围第6项之蚀刻程序,其中CF4流量在ARC Open式程序中调整至40sccm而CHF3流量调整至20sccm。图式简单说明:第1图半导体结构之一部份,其具有一种预制成之蚀刻遮罩以及一种存在于氧化物层和蚀刻遮罩之间的聚合物层。第2图一种半导体结构,其具有二层式金属层,其是由导电轨平面和中间连接区(其介于导电轨平面和半导体结构之基板之间)所构成。 |
