| 主权项 |
1.一种在基材上将一层图案化之方法,该方法包含下列步骤:将相干辐射投射到一反射器表面,以使该相干辐射可从该反射器表面反射,以便提供一想要影像的全息投射,其中该反射器表面系包括资讯,该资讯系对应该想要影像的一相反全息投射;及维持包括该层的基材于反射辐射路径,以使该全息投射可投射在该层。2.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含显影该层,以使部分之该层可根据想要影像的全息投射密度而维护及移除。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该层包含一氧化物层,其可在具有足够密度的想要影像之全息投射部分的暴露上起作用,以使氧化物层的起作用部分可选择性移除、维护、或修改。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该层包含一矽层,其可在具有足够密度的想要影像之全息投射部分的暴露上起作用,以使该矽层的起作用部分可选择性氧化或修改。5.如申请专利范围第1项之方法,其中投射相干辐射的该步骤系包含投射电子的一相干光束。6.如申请专利范围第5项之方法,其中投射相干辐射的该步骤可进一步包含从一微小尖端场致发射体产生该电子相干光束。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该微小尖端场致发射体包含具有类似一原子大小的一尖端。8.如申请专利范围第1项之方法,其中相干辐射的该步骤包含投射激光辐射。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该想要影像的全息投射包含一菲涅耳全息图。10.如申请专利范围第1项之方法,其中投射相干辐射的该步骤包含沿着分歧路径投射该相干辐射。11.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含:相干辐射反射过滤远的反射器使减少正在符合到反射器表面上的缺点的干扰图型部分的传输成平面。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该投射相干辐射包含投射到该反射器表面之相干辐射的两光束。13.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含:将相干辐射投射到一第二反射器表面,所以相干辐射可从第二反射器表面反射出,以提供反射辐射的一第二全息投射;其中维持该基材在从该第二反射器表面反射出的辐射路径中系进一步包含维持包括该层的基材,以使第二全息投射可投射在该层。14.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含:将一部分相干辐射投射到该层,而不会从反射器平面反射出。15.一种用以在一基材上将一层图案化之系统,该系统包含:用以将相干辐射投射到一反射器表面之装置,以使该相干辐射可从反射器表面反射出,以提供一想要影像的全息投射,其中该反射器表面包括对应该想要影像的一相反全息投射的资讯;及用以在该反射辐射的路径中维持包括该层的基材之装置,所以该想要影像的全息辐可投射到该层。16.如申请专利范围第15项之系统,其中该层包含一氧化物层,其中该层包含一氧化物层,其可在具有足够密度的想要影像之全息投射部分的暴露上起作用,以使氧化物层的起作用部分可选择性移除、维护、或修改。17.如申请专利范围第15项之系统,其中该层包含一矽层,其可在具有足够密度的想要影像之全息投射部分的暴露上起作用,以使该矽层的起作用部分可选择性氧化或修改。18.如申请专利范围第15项之系统,其中用以投射相干辐射的装置包含用以投射电子的一相干光束之装置。19.如申请专利范围第18项之系统,其中用以投射相干辐射的该装置可进一步包含用以从一微小尖端场致发射体产生电子的相干光束之装置。20.如申请专利范围第19项之系统,其中该微小尖端场致发射体包含具有类似一原子大小的一尖端。21.如申请专利范围第15项之系统,其中用以投射相干辐射的该装置包含用以投射激光辐射之装置。22.如申请专利范围第15项之系统,其中该想要影像的全息投射包含一菲涅耳全息图。23.如申请专利范围第15项之系统,其中用以投射该相干辐射的该装置包含用以沿着分歧路径而投射该相干辐射之装置。24.如申请专利范围第15项之系统,其进一步包含:用以过滤从该反射器表面所反射出的该相干辐射之装置,以减少对应到该反射器表面上缺点的干扰图型部分传输。25.如申请专利范围第15项之系统,其中用以投射相干辐射的该装置包含用以将相干辐射的两光束投射到该反射器表面之装置。26.如申请专利范围第15项之系统,其进一步包含:用以将相干辐射投射到一第二反射器表面之装置,以使该相干辐射可从该第二反射器表面反射出,以提供反射辐射的一第二全息投射;及用以在从该第二反射器表面所反射辐射路径中维持包括该层的基材之装置,以使该第二全息投射可投射到该层。27.如申请专利范围第15项之系统,其进一步包含:用以将一部分相干辐射投射到包括该层的基材之装置,而不会从该反射器表面反射出。28.一种用以将在一基材表面上的一层图案化之系统,该系统包含:一辐射源,其配置可将相干辐射投射到一反射器表面,以使该相干辐射可从反射器表面反射出,以便在该层上投射一想要影像的全息投射,以使该想要影像的全息影像可用来将该层图案化。29.如申请专利范围第28项之系统,其中该层包含一氧化物层,其可在具有足够密度的想要影像之全息投射部分的暴露上起作用,所以氧化物层的起作用部分可选择性移除、维护、或修改。30.如申请专利范围第28项之系统,其中该层包含一矽层,其可在具有足够密度的想要影像全息投射部分的暴露上发生作用,所以该矽层的起作用部分可选择性氧化或修改。31.如申请专利范围第28项之系统,其中该相干辐射包含电子的一相干光束。32.如申请专利范围第31项之系统,其中该辐射源包含一微小尖端场致发射体。33.如申请专利范围第32项之系统,其中该微小尖端场致发射体包含具有类似一原子大小之一尖端。34.如申请专利范围第28项之系统,其中该相干辐射包含激光辐射。35.如申请专利范围第28项之系统,其中该想要影像的全息投射包含一菲涅耳全息图。36.如申请专利范围第28项之系统,其中该辐射源可沿着分歧路径而投射该相干辐射。37.如申请专利范围第28项之系统,其进一步包含:一过滤器,其配置可从该反射器表面反射出该相干辐射,以减小对应在反射器表面上缺点的干扰图型部分传输。38.如申请专利范围第28项之系统,其中该辐射源包含两辐射源,其每个辐射源的配置可将相干辐射的一相对光束投射到该反射器表面。39.如申请专利范围第28项之系统,其中该辐射源的进一步配置可将相干辐射投射到一第二反射器表面,所以该相干辐射可从该第二反射器反射出,以便在该层上投射该反射辐射的一第二全息投射。40.如申请专利范围第28项之系统,其中该辐射源可将一部分相干辐射投射到该层,而不会从该反射器平面反射出。图式简单说明:图1是一反射全息显微镜的方块图。图2A是在隶属相干辐射的一矽基材上的一球体截面图。图2B是使用图2A的相干辐射所计算的一全息图。图3A是在隶属相干辐射的一矽基材上的两球体截面图。图3B是使用图3的相干辐射所计算的一全息图。图4A是在隶属相干辐射的一矽基材的第二球体上的一球体截面图。图4B是使用图4的相干辐射所计算的一全息图。图5A是在隶属相干辐射的一矽基材上的一立方体截面图。图5B是使用图5A的相干辐射所计算的一全息图。图6是包括一激光的一反射全息显微镜方块图。图7是使用离轴全息术所计算的一重建影像。图8是一图案化系统的方块图。图9是包括复数拓扑特征的一反射器截面图。图10是包括复数辐射源的一图案化系统方块图。图11是包括复数图案化反射器及复数反射器之一图案化系统方块图。图12是包括一过滤器的图案化系统方块图。 |
