| 主权项 |
1.一种制造半导体元件(100)之方法,包含:沉积一第一导电层(675)于一基材(270)之第一表面之上;于该第一导电层上形成一电镀罩(673),该电镀罩具有外露该第一导电层之一部份(674)之开孔;结合一第一电镀电极(250)到该第一导电层便算一电镀电极避免接触该电镀罩,以避免在该电镀罩打孔;且电镀一第二导电层(112)于该第一导电层之该部份。2.如申请专利范围第1项之方法,其尚包含:利用该基材(270)以封闭一电镀工具(200)之一外堰板(210)。3.如申请专利范围第2项之方法,其尚包含:为该电镀工具提供一内堰板(220),该内堰板位于该外堰板内侧;泵送电镀液进入该入堰板,使其溢流出该内堰板,接触到第一导电层(675)之部份(674),并流进入该外堰板;及令该电镀液自该外堰板移出。4.一种制造半导体元件之方法,包含:提供具有一第一表面(271)之一半导体基材(270);于该半导体基材第一表面制作多量电晶体;沉积一第一金属层(675)于多量电晶体之上;于该第一金属层上形成抗光层(673),该抗光层具有外露该第一金属层之部份之开孔;置放该半导体基材于电镀工具(200)内(220)及外(210)堰板之上,该半导体基材第一表面面向该内及外堰板,而该内堰板位在该外堰板之内;以一弹性元件(230)及该半导体基材封闭该外堰板,该弹性元件接触该抗光层,而避开接触该第一金属层;于该外堰板封闭下,电镀一第二金属层于该第一金属层之部份上;于电镀步骤后,自该电镀工具移出该半导体基材;于半导体基材移出后,自该半导体基材移除该抗光层;及于移除该抗光层后,令该第一金属层样式化。图式简单说明:图1为根据本发明之制造半导体元件方法之概要;图2说明根据本发明之制造本导体元件方法电镀工具之具体实例之横剖面图;图3说明图2电镀工具内堰板侧视图;图4说明图2电镀工具一部份之内侧视面;图5说明图2电镀工具另一部份之上视面;及图6与7说明根据本发明电镀工具不同部份之详细横剖面视面。 |
