| 主权项 |
1.一种形成一快闪记忆体晶胞的方法,该方法至少包括:提供一底材;形成一第一多晶矽层在该底材上;形成一氮化层在该第一多晶矽层上;移除部分该氮化层和该第一多晶矽层以形成复数个洞并暴露出该底材;形成一隔离介电质在该些洞内,其中该隔离介电质在该些洞的一侧壁处系呈现凸起状,且该隔离介电质系高于该第一多晶矽层;移除在该第一多晶矽层上的该氮化层;以及正形地形成一第二多晶矽层在该第一多晶矽层和该隔离介电质上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一多晶矽层系使用一沉积程序形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化层系使用一沉积程序形成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化层的材质系为氮化矽。5.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该隔离介电质的步骤系至少包含下列步骤:正形地沉积一介电层在该氮化层和该底材上;使用一溅击(sputtering)程序移除部分该介电层并暴露出部分该氮化层;以及移除在该氮化层上的该介电层。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之介电层系使用一化学气相沉积法形成。7.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之介电层系使用一高密度电浆化学气相沉积法形成。8.如申请专利范围第5项之方法,其中移除在该氮化层上的该介电层之步骤至少包含下列步骤:形成一遮罩覆盖住在该些洞内的该介电层;使用一湿蚀刻程序移除在该氮化层上的该介电层;以及移除该遮罩。9.一种形成一快闪记忆体晶胞的方法,该方法至少包括:提供一底材;形成一第一多晶矽层在该底材上;形成一氮化层在该第一多晶矽层上;移除部分该氮化层和该第一多晶矽层以形成复数个洞并暴露出该底材;正形地沉积一介电层在该氮化层和该底材上;使用一溅击(sputtering)程序移除部分该介电层并暴露出部分该氮化层,其中在该些洞内的该介电层系作为一隔离介电质,其中该介电层在该些洞内的一侧壁处系呈现凸起状,且该介电层系高于该第一多晶矽层;移除在该第一多晶矽层上的该氮化层;以及正形地形成一第二多晶矽层在该第一多晶矽层和该隔离介电质上。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第一多晶矽层系使用一沉积程序形成。11.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之氮化层系使用一沉积程序形成。12.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之氮化层的材质系为氮化矽。13.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之介电层系使用一化学气相沉积法形成。14.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之介电层系使用一高密度电浆化学气相沉积法形成。15.如申请专利范围第9项之方法,其中移除在该氮化层上的该介电层之步骤至少包含下列步骤:形成一遮罩覆盖住在该些洞内的该介电层;使用一湿蚀刻程序移除在该氮化层上的该介电层;以及移除该遮罩。图式简单说明:第一A图至第一F图系为根据本发明方法所揭露的形成快闪记忆体晶胞的流程示意图 |
