| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含使用分批式湿式处理装置而蚀刻多结晶矽膜的步骤,其特征在于包含:在矽晶圆的表面上成膜多结晶矽膜的步骤;以按规定的混合比,包含氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式蚀刻前述多结晶矽膜的步骤;和在前述湿式蚀刻的中途,在前述药液中追加氨的步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,包含将在前述药液中追加的APM或氨调整到与前述药液相同的温度的步骤。3.一种半导体装置之制造方法,包含使用分批式湿式处理装置而蚀刻多结晶矽膜的步骤,其特征在于包含:在矽晶圆的表面上成膜多结晶矽膜的步骤;以按规定的混合比包含氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式蚀刻前述多结晶矽膜的步骤;和在前述湿式蚀刻的中途,将在前述湿式处理装置的晶圆保持部中保持的前述矽晶圆仅旋转规定角度的步骤。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中,前述湿式蚀刻的步骤包含:在前述矽晶圆的旋转前进行的第1湿式蚀刻步骤;和在前述矽晶圆的旋转后进行的第2湿式蚀刻步骤;此外,前述第1湿式蚀刻步骤按可完全除去前述多结晶矽膜的露出部分的条件来执行,前述第2湿式蚀刻步骤按相同于前述第1湿式蚀刻步骤使用的条件来进行。5.一种半导体装置之制造方法,包含使用分批式湿式处理装置而蚀刻多结晶矽膜的步骤,其特征在于包含:在矽晶圆的表面上成膜多结晶矽膜的步骤;以按规定的混合比包含氨水和双氧水及纯水的APM的新液作为药液来湿式蚀刻前述多结晶矽膜的步骤;和在前述湿式蚀刻结束后,废弃在前述湿式蚀刻中使用的前述APM的步骤。6.一种半导体装置之制造方法,包含使用分批式湿式处理装置蚀刻多结晶矽膜的步骤,其特征在于,该方法包含:在矽晶圆的表面上成膜多结晶矽膜的步骤;进行从前述多结晶矽膜的表面除去自然氧化膜的湿式蚀刻的步骤;和在除去前述自然氧化膜后,以按规定的混合比包含氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式蚀刻前述多结晶矽膜的步骤。7.一种半导体装置之制造方法,包含使用分批式湿式处理装置蚀刻多结晶矽膜的步骤,其特征在于,该方法包含:在矽晶圆的表面上成膜多结晶矽膜的步骤;以按规定的混合比包含氨水和双氧水及纯水的APM作为药液来湿式蚀刻前述多结晶矽膜的步骤;和在前述湿式蚀刻的执行中,对前述APM传送超音波振动的步骤。8.如申请专利范围第1至7项中任一项之半导体装置之制造方法,其中,前述APM中包含的氨和水的体积比(NH4OH/H2O)小于1/50。图式简单说明:图1是说明本发明实施形态1的制造方法的流程图。图2是说明本发明实施形态2的制造方法的流程图。图3(A)、(B)是用本发明实施形态2的制造方法处理的矽晶圆的主视图和侧视图。图4是说明本发明实施形态3的制造方法的流程图。图5是说明本发明实施形态4的制造方法的流程图。图6是说明本发明实施形态5的制造方法的流程图。 |
