| 主权项 |
1.一种样本处理系统,包含:一转动台,其上以实质等角间隔安装用以保持样本之保持机构;一驱动机构用以枢转该转动台经由一预定角度以移动由样本保持机构所保持之样本至操作位置;和至少一处理装置用以处理在预定操作位置上由保持机构所保持之样本。2.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中该操作位置包括一入口位置以接收开始处理之样本,和一出口位置以传送处理样本。3.如申请专利范围第2项之样本处理系统,进一步包含一传送机构以传送欲处理之样本至位在当成入口位置之操作位置上之保持机构,和由位在当成出口位置之操作位置上之保持机构接收该受处理样本。4.如申请专利范围第3项之样本处理系统,其中该传送机构以水平状态传送一板状样本至位在入口位置上之保持机构,和以水平状态由位在出口位置上之保持机构接收该受处理板状样本。5.如申请专利范围第4项之样本处理系统,其中该传送机构包含一标量机器人。6.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该保持机构具有一下保持机构以由下侧保持板状样本。7.如申请专利范围第5项之样本处理系统,其中该保持机构具有一下保持机构以由下侧保持板状样本,和一上保持机构以由上侧保持板状样本。8.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中欲处理之样本具有一分离层,和至少一处理装置包含一分离装置以在分离层上分离样本。9.如申请专利范围第8项之样本处理系统,其中该分离装置将一流体流射向由位在样本所分离之操作位置上之保持机构所保持之样本之分离层,藉以在分离层上分离样本。10.如申请专利范围第9项之样本处理系统,其中该保持机构具有一驱动源以转动样本绕着垂直于分离层之轴,和该分离装置分离由驱动源转动之样本。11.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中至少一处理装置包含一对中装置以对中样本。12.如申请专利范围第11项之样本处理系统,其中该对中装置对中由位在用于对中处理之操作位置上之保持机构所保持之样本。13.如申请专利范围第8项之样本处理系统,其中至少一处理装置包含一清洁装置以清洁由分离装置所分离之样本。14.如申请专利范围第13项之样本处理系统,其中该清洁装置清洁由位在用于清洁处理之操作位置上之保持机构所保持之样本。15.如申请专利范围第8项之样本处理系统,其中至少一处理装置包含一清洁/乾燥装置以清洁和乾燥由分离装置所分离之样本。16.如申请专利范围第15项之样本处理系统,其中该清洁/乾燥装置清洁和乾燥由位在用于清洁/乾燥处理之操作位置上之保持机构所保持之样本。17.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中处理操作在操作位置上平行处理。18.如申请专利范围第2项之样本处理系统,进一步包含:一对中装置用以对中样本,和一传送机构用以接收由对中装置所对中之样本,和传送样本至位在入口位置上之保持机构。19.如申请专利范围第2项之样本处理系统,进一步包含:一清洁装置用以清洁样本,和一传送机构用以接收由位在出口位置上之保持机构所保持之样本,和传送样本至该清洁装置。20.如申请专利范围第2项之样本处理系统,进一步包含:一清洁/乾燥装置用以清洁和乾燥样本,和一传送机构用以接收由位在出口位置上之保持机构所保持之样本,和传送样本至该清洁/乾燥装置。21.如申请专利范围第2项之样本处理系统,进一步包含:一对中装置用以对中样本,第一传送机构用以接收由对中装置所对中之样本,和传送样本至位在入口位置上之保持机构,一清洁装置用以清洁样本,和第二传送机构用以接收由位在出口位置上之保持机构所保持之样本,和传送样本至该清洁装置。22.如申请专利范围第2项之样本处理系统,进一步包含:一对中装置用以对中样本,第一传送机构用以接收由对中装置所对中之样本,和传送样本至位在入口位置上之保持机构,一清洁/乾燥装置用以清洁和乾燥样本,和第二传送机构用以接收由位在出口位置上之保持机构所保持之样本,和传送样本至该清洁/乾燥装置。23.如申请专利范围第21项之样本处理系统,进一步包含第三传送机构以传送样本至该对中装置和由该清洁装置接收样本。24.如申请专利范围第22项之样本处理系统,进一步包含第三传送机构以传送样本至该对中装置和由该清洁/乾燥装置接收样本。25.如申请专利范围第2项之样本处理系统,进一步包含一装置用以在样本传送至位在入口位置上之保持机构前处理该样本。26.如申请专利范围第2项之样本处理系统,进一步包含一装置用以在由位在出口位置上之保持机构接收样本后处理该样本。27.如申请专利范围第8项之样本处理系统,其中分离层为具有一易碎构造之层。28.如申请专利范围第27项之样本处理系统,其中具有易碎构造之层为一多孔层。29.如申请专利范围第27项之样本处理系统,其中具有易碎构造之层为一微空腔层。30.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中欲处理之板状样本为一半导体基底。31.如申请专利范围第8项之样本处理系统,其中欲处理之板状样本乃藉由结合第一基底和第二基底而形成,且具有含一易碎构造之层当成分离层。32.如申请专利范围第1项之样本处理系统,其中欲处理之板状样本乃藉由形成一多孔层在第一半导体基底之表面上,形成一非多孔层在多孔层上,和结合第二基底至非多孔层而形成。图式简单说明:图1A至1E用以说明在依照本发明之一较佳实施例制造一SOI基底中之步骤之截面图;图2为依照本发明之第一实施例之处理系统之示意构造之平面图;图3为结合基底堆叠传送至位在入口位置上之保持机构之状态之示意图;图4为由位在对中处理位置上之保持机构所保持之结合基底堆叠对中之状态之示意立体图;图5为由位在分离处理位置上之保持机构所保持之结合基底堆叠分离之状态之示意立体图;图6为清洁和乾燥处理位在清洁/乾燥处理位置上之两基底之示意立体图;图7为依照本发明之第二实施例之处理系统之示意构造之平面图;图8为安装在转动台上之保持机构之示意构造图;图9为图8之保持机构之部份图;图10为在依照第一实施例之处理系统中,用于一结合基底堆叠之处理之流程图;图11为在依照第二实施例之处理系统中,用于一结合基底堆叠之处理之流程图;和图12A和12B为标量机器人之另一构造图。 |
