| 主权项 |
1.一种增进蚀刻终止层抗蚀刻能力之改良制程,包括下列步骤:(a)形成一第一介电层于一半导体基底上;(b)沈积一氮氧化矽层于该第一介电层上,且对该氮氧化矽层施行一氮气电浆处理程序,以使其表面氮化(nitridization)而增加氮元素含量;(c)形成一第二介电层于该氮氧化矽层上;以及(d)分别在该第一介电层与该第二介电层中定义出一介层洞与一导线沟槽,而形成一双镶嵌结构;其中定义该导线沟槽时系以上述经过氮化处理之氮氧化矽层当作蚀刻终止层。2.如申请专利范围第1项所述之改良制程,其中系以电浆化学气相沈积(PECVD)程序沈积该氮氧化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之改良制程,其中该氮气电浆处理程序系使用混合频率电浆(mixed-frequency plasma)。4.如申请专利范围第3项所述之改良制程,其中该氮气电浆处理程序的时间系介于1至2分钟。5.如申请专利范围第4项所述之改良制程,其中更包括:重复沈积氮氧化矽与氮化电浆处理的程序2至5次,而形成一多重氮化处理的氮氧化矽层。6.如申请专利范围第5项所述之改良制程,其中该多重处理的氮氧化矽层,总厚度为200至700。7.如申请专利范围第1项所述之改良制程,其中该第一介电层对该氮氧化矽层的蚀刻选择比约15/1。8.如申请专利范围第1项所述之改良制程,其中更包括:设置一经过氮化处理的氮氧化矽层于该第一介电层之下,当作定义该介层洞之蚀刻终止层。9.如申请专利范围第1项所述之改良制程,其中更包括设置一经过多重氮化处理的氮氧化矽层于该第一介电层之下,当作定义该介层洞之蚀刻终止层。10.如申请专利范围第1项所述之改良制程,其中更包括:沈积一导电材料填入上述导线沟槽与介层洞中。11.如申请专利范围第10项所述之改良制程,其中更包括:将该导电材料平坦化。12.如申请专利范围第10项所述之改良制程,其中该导电材料系择自:铜、金、铝、银、以及其合金所组成之族群。13.如申请专利范围第12项所述之改良制程,其中该导电材料为铜。图式简单说明:第1A~1D图为一系列剖面图,用以说明习知的双镶嵌制程。第2A~2E图为一系列剖面图,用以说明本发明以氮化处理的氮氧化矽层作为蚀刻终止层的双镶嵌制程。第3图为一剖面图,用以说明本发明另一实施例,以氮化处理的氮氧化矽作为定义介层洞的蚀刻终止层。 |
