| 主权项 |
1.一种在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,系包括:a.形成一硬式护罩在半导体基板上;b.定义该硬式护罩并利用离子蚀刻技术形成浅渠沟;c.进行一热氧化的步骤,于浅渠沟内壁形成一第一氧化矽层;d.形成一层第二氧化矽层将所述浅渠沟填满并覆盖在该硬式护罩上,其中在面积较小之硬式护罩上方所形成的该第二氧化矽层较薄,而在面积较大之硬式护罩上方所形成的第二氧化矽层较厚;e.涂布上一层旋涂式玻璃,并进行低温烘烤;f.进行部份回蚀刻制程,去除部分之旋涂式玻璃及第二氧化矽层,此回蚀刻制程系利用对该旋涂式玻璃和该氧化矽层具高度蚀刻选择比的蚀刻配方进行,其中,蚀刻该氧化矽层的速率高于蚀刻该旋涂式玻璃的速率;g.对所述之残留旋涂式玻璃进行固化步骤;以及h.进行平坦化制程以去除该硬式护罩上方的该氧化矽层,以所述硬式护罩做为蚀刻终止层。2.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,在进行回蚀刻步骤之后,更包含一去除所述硬式护罩的步骤。3.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述形成硬式护罩系先在半导体基板上形成一层氧化矽层,再形成一氮化矽层。4.如申请专利范围第3项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述氧化矽层系利用热氧化技术所形成。5.如申请专利范围第3项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述氧化矽层系利用化学气相沉积法所形成。6.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述第二氧化矽层系利用高密度电浆加强式化学气相沉积法所形成。7.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述第二氧化矽层系利用电浆加强式化学气相沉积法配合回蚀刻步骤并循环数次而成。8.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述第二氧化矽层的厚度在2000至8000埃之间。9.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述旋涂式玻璃系有机性旋涂式玻璃。10.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述旋涂式玻璃的厚度在2000至7000埃之间。11.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述低温烘烤系在150℃至350℃之间进行。12.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述固化步骤系在800℃以上的温度下进行。13.如申请专利范围第1项之在积体电路中形成浅渠沟隔离的方法,其中所述回蚀刻系利用化学机械研磨法进行。图式简单说明:图一是本发明形成浅渠沟区域的剖面示意图。图二是本发明形成第二氧化矽层及旋涂式玻璃的剖面示意图。图三是本发明中进行部份回蚀刻,以蚀去氮化矽层上方之旋涂式玻璃的剖面示意图。图四是本发明中,将该氮化矽层上方的残余第二氧化矽层及旋涂式玻璃去除的剖面示意图。 |
