| 主权项 |
1.一种切割装置,系用来切割一种由双层玻璃基板所构成之叠层物,该切割装置包含有:一工作台,包含有至少一线型开口,该叠层物系放置于该工作台上且该叠层物之预定切割位置系对准该线型开口;一第一雷射产生器系用来产生一第一雷射光束,该第一雷射光束系由该工作台上方照射到该叠层物之上层玻璃基板之预定切割位置;以及一第二雷射产生器系用来产生一第二雷射光束,该第二雷射光束系由该工作台下方穿透该工作台之线型开口进而照射到该叠层物之下层玻璃基板之预定切割位置。2.如申请专利范围第1项所述之切割装置,其中该第一雷射光束之入射角度与该第二雷射光束之入射角度之偏移范围介于0与20之间。3.如申请专利范围第1项所述之切割装置,其中该工作台系为一可水平移动之工作台。4.如申请专利范围第1项所述之切割装置,其中该切割装置另包含有一第一X-Y扫描器以及一第二X-Y扫描器,分别用来水平摆动该第一雷射光束与该第二雷射光束。5.如申请专利范围第1项所述之切割装置,其中该切割装置系用来将该叠层物切割成复数个液晶晶胞(liquid crystal cell)。6.一种切割装置,系用来切割一种由双层玻璃基板所构成之叠层物,该切割装置包含有:一工作台,包含有至少一线型开口,该叠层物系放置于该工作台上且该叠层物之预定切割位置系对准该线型开口;以及一雷射产生器,系用来产生一第一雷射光束以及一第二雷射光束;其中该第一雷射光束系由该工作台上方照射到该叠层物之上层玻璃基板之预定切割位置,该第二雷射光束系由该工作台下方穿透该工作台之线型开口进而照射到该叠层物之下层玻璃基板之预定切割位置。7.如申请专利范围第6项所述之切割装置,其中该第一雷射光束之入射角度与该第二雷射光束之入射角度之偏移范围介于0与20之间。8.如申请专利范围第6项所述之切割装置,其中该工作台系为一可水平移动之工作台。9.如申请专利范围第6项所述之切割装置,其中该切割装置另包含有一第一X-Y扫描器以及一第二X-Y扫描器,分别用来水平摆动该第一雷射光束与该第二雷射光束。10.如申请专利范围第6项所述之切割装置,其中该切割装置另包含有一光束分光器,系用来将该雷射产生器所产生之原始雷射光束分成该第一雷射光束以及该第二雷射光束。11.如申请专利范围第6项所述之切割装置,其中该切割装置系用来将该叠层物切割成复数个液晶晶胞(liquid crystal cell)。12.一种由双层玻璃基板所构成之叠层物的切割方法,该切割方法包含下列步骤:(a)提供一工作台,包含有至少一线型开口,该叠层物系放置于该工作台上且该叠层物之预定切割位置系对准该线型开口;(b)提供一第一雷射光束,能由该工作台上方照射到该叠层物之上层玻璃基板之预定切割位置;以及(c)提供一第二雷射光束,能由该工作台下方穿透该线型开口进而照射到该叠层物之下层玻璃基板之预定切割位置。13.如申请专利范围第12项所述之切割方法,其中该第一雷射光束之入射角度与该第二雷射光束之入射角度之偏移范围介于0与20之间。14.如申请专利范围第12项所述之切割方法,其中该工作台可以水平移动。15.如申请专利范围第12项所述之切割方法,其中该第一雷射光束与该第二雷射光束可以在相对应位置上水平摆动。16.如申请专利范围第12项所述之切割方法,其中该切割装置系用来将该叠层物切割成复数个液晶晶胞(liquid crystal cell)。图式简单说明:第1A图至第1G图系显示习知液晶晶胞之制作方法的示意图。第2图显示本发明切割装置之示意图。第3A图系显示第2图所示两雷射光束之间距容忍范围。第3B图系显示第2图所示两雷射光束之入射角偏移角度范围。第4A图系显示本发明第一实施例之切割装置之结构示意图。第4B图系显示本发明第二实施例之切割装置之结构示意图。 |
