| 主权项 |
1.一种电子组件中阻障层的制造方法,其中形成阻障层之植入原子被植入基质材料;该基质材料系施加至一金属层;基质材料植入原子及金属层至少部份反应而形成阻障层,其中透过阻障层之金属层之矽化系藉阻障层而防止。2.如申请专利范围第1项之方法,其中氮原子或硼原子系做为植入原子。3.如申请专利范围第1项之方法,其中基质材料含矽或砷化镓或锗。4.如申请专利范围第2项之方法,其中基质材料含矽或砷化镓或锗。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中基质材料,植入原子及金属层至少部份彼此反应,而执行基质材料,植入原子及金属层之退火。6.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中植入原子之植入在金属层已施加至基质材料上之后发生。7.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中,一散布氧化物层施加至基质材料或金属层;及植入原子之植入透过散布氧化物层而发生。8.如申请专利范围第7项之方法,其中散布氧止物层包含氧化矽。9.如申请专利范囿第1至4项中任一项之方法,其中金属层包含至少一个下列金属:钨;钼;钽;铼;钛;锆;铪;铌;及/或钌。10.一种制造具有阻障层之电子组件之方法,其中电子组件被产生;阻障层系根据申请专利范围1至9项中任一项之方法产生。11.如申请专利范围第10项之方法,其中产生一电晶体做为电子组件;及电晶体之闸极系由金属层形成。12.如申请专利范围第10或11项之方法,其中在电子组件中之电气接触系自金属层形成。图式简单说明:第1a至1g图显示根据第一实施例,在产生方法期间,组件之不同的程序状态;第2a至2e图显示根据第二实施例,在产生方法期间,组件之不同的程序状态;第3a至3c图显示根据第三实施例,在产生方法期间,组件之不同的程序状态。 |
