| 主权项 |
1.一种制造具有一电感之半导体装置的方法,该电感系由从沿着半导体装置的一侧边轴形成之多个串联连接之相邻回路所形成,每一回路包括一底端脚,一顶端脚,及一侧边脚对,包含下列步骤:形成底端脚在一第一基片上;沈积一第二基片层在第一基片上;经由第二基片层为每一回路形成该侧边脚对;及形成顶端脚以连接从相邻底端脚延伸之侧边脚对。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该等底端脚为沿着一共同平面平行。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该顶端脚为沿着一第一平面平行。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该等底端脚为沿着第二平面平行,第二平面与第一平面平行及分离。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该第一和第二平面与侧边轴平行。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该侧边脚为垂直第一和第二平面。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该侧边脚形成步骤包含:形成一对通道经由第二基片层至每一底端层,及沈积侧边脚在该等通道内。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该顶端脚形成步骤包含:形成一对通道在该对通道间各别与相邻底端脚通讯,及沈积顶端脚在该等通道内。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该侧边脚形成步骤为与该顶端脚形成步骤同步。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该侧边脚及顶端脚系经由沈积一导体至该等通道及通路中形成。11.如申请专利范围第10项之方法,另包含形成一阻挡层在该等通道和通路内,该阻挡层形成步骤超前该侧边及顶端脚形成步骤。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该侧边及顶端脚形成步骤为一铜镶崁程序。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该阻挡层系使用钽形成。图式简单说明:图1是根据本发明一半导体装置内配置一电感之一透视图。图2是图1所示该电感沿折线2-2于底端脚已被沈积在一基片上后之横剖面。图3展示图2之电感,系在底端脚已沈积在该基片上及在一附加基片形成在第一基片少后沿着线3-3之一横剖面。图4展示图3所示电感于侧边脚所用通道被界定于该附加基片脚内之后。图5展示图4所示之电感于一光阻剂被沈积在未被减少之附加基片层的区域上后。图6展示图5所示电感于附加基片的厚度已被减少后。图7展示图6所示电感于光阻剂已被移走后及一阻挡层已被沈积在附加基片层后。图8展示图7所示电感于沈积一金属层后。图9展示图8所示电感于移走过多金属后。 |
