| 主权项 |
1.一种强磁记忆格,包含: (a)一环节(储存元件)(3),由强磁材料制成,具有一残 余极性; (b)一写入线(2),位于该环节附近,系耦合以接受: (1)一足以产生该残余极性之第一电流,与 (2)一脉控第二电流,不足以产生任何残余极性,但 足以在该第二电流脉冲期间使该电阻器极性潜在 波动;以及 (c)一感测线(1),置于环节(3)附近,以侦测该残余极 性波动。2.如申请专利范围第1项之记忆格,尚包含 : 一放大器及侦测器单元(11),耦合于感测线(1)供放 大及侦测由写入线(2)内之导向电流所导致环节(3) 之极性波动而感应入感测线(1)内之任何脉冲。3. 如申请专利范围第2项之记忆格,尚包含: 一基座(16),位于水平面上,其中该环节有一高度而 方位为垂直于该基座之水平面。4.如申请专利范 围第1项之记忆格,其中环节(3)之极性具有一残余 极性,于一与写入线(2)内导向电流所指定方向相反 之方向流动,且其中写入线(2)内之电流量足以导致 环节(3)之极性波动,但不足以导致永久性之残余极 性转换。5.如申请专利范围第1项之记忆格,其中环 节(3)之残余极性具有一残余极性,于一与写入线(2) 内导向电流所指定方向相同之方向流动,其中写入 线(2)内之电流量不导致该环节之极性波动。6.如 申请专利范围第1项之记忆格,其中环节(3)之残余 极性具有一方向与写入线(2)内导向电流所指定方 向相同之残余极性,因此写入线(2)内之电流量将不 导致该环节之极性波动。7.如申请专利范围第1项 之记忆格,其中环节(3)具有大于1:1之纵横比。8.如 申请专利范围第1项之记忆格,其中脉冲存在于感 测线(1)内时指示数位値为"1",而脉冲不存在于感测 线(1)内时指示数位値为"0"。9.如申请专利范围第1 项之记忆格,其中写入线(2)外接该环节周边附近。 10.如申请专利范围第1项之记忆格,其中感测线(1) 系置于一基底内且位于环节(3)下方。11.如申请专 利范围第10项之记忆格,其中感测线(1)系置放成沿 环节(3)之一中央部份延伸。12.如申请专利范围第1 项之记忆格,其中感测线(1)系位于环节(3)上方。13. 一种储存及检索二元资料之方法,包含以下步骤; (a)提供一由强磁材料制成、具有一能被导向之极 性之记忆体环节(3); (b)沿一位于环节(3)附近之写入线(2)发送一导向电 流,而将环节(3)之极性导至所需之残余状态;以及 (c)沿一感测线(1)发送一电流侦测环节(3)之极性,并 测定环节(3)之极性是否出现波动。14.如申请专利 范围第13项之方法,其中环节(3)之残余极性在环节( 3)之残余状态与写入线(2)内引进电流之方向所指 定之状态相反时产生波动,该电流之量足以导致此 等波动,但不足以将环节(3)之残余极性永久转换。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中环节(3)之极 性在环节(3)之残余状态与写入线(2)内引进电流之 方向所指定之状态相同时无波动产生,该电流之量 在环节(3)之残余为与写入线(2)内电流之方向所指 定者方向相反时足以导致其极性之波动,但不足以 将环节(3)之极性永久转换。16.如申请专利范围第 15项之方法,其中环节(3)之极性在环节(3)之残余状 态与写入线(2)内引进电流之方向所指定之状态相 同时无波动产生,该电流之量在环节(3)之残余为与 写入线(2)内电流之方向所指定者方向相反时足以 导致其极性之波动,但不足以将环节(3)之极性永久 转换。17.如申请专利范围第13项之方法,其中环节( 3)之纵横比大于1:1。18.如申请专利范围第13项之方 法,其中环节(3)极性波动之存在使一波(30)感应入 流过感测线(1)之电流内,而由一耦合于感测线(1)之 放大器及侦测器单元(11)予以侦测。19.如申请专利 范围第18项之方法,其中波(30)之存在指示数位値为 "1",而波(30)不存在于感测线(1)内时指示数位値为"0 "。20.如申请专利范围第13项之方法,其中写入线(2) 外接于该环节周边附近。21.如申请专利范围第13 项之方法,其中感测线(1)系置于一基底内且位于环 节(3)下方。22.如申请专利范围第20项之方法,其中 感测线(1)系置放成沿环节(3)之一中央部份延伸。 23.如申请专利范围第13项之方法,其中感测线(1)系 位于环节(3)上方。图式简单说明: 图1为本发明非依电性强磁随机存取记忆体之一示 意图。 图2为图1中所示记忆格元件之一侧视图。 图3为一典型磁迟滞曲线图,例示图1中之本发明之 操作。 图4为图1记忆格元件之时序图,用以读取一记忆格 内所储存之单一正环节资料。 |
