| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,包含: 第1基板(10),系予形成像素电极(26); 第2基板(40),系予形成对于前述像素电极(26)为相对 向之对向电极(48); 液晶(60),系予封入在前述第1基板(10)与前述第2基 板(40)之间而具有负的介电率异方性; 而在前述像素电极(26)之端部近旁领域上的前述像 素电极(26)与前述对向电极(48)之离间距离,乃比除 去前述像素电极(26)之前述端部近旁领域之外的领 域上的前述像素电极(26)与前述对向电极(48)之离 间距离较长。2.如申请专利范围第1项之液晶显示 装置,其中: 在前述像素电极之前述端部近旁领域上的前述像 素电极与前述对向电极之离间距离,乃向着前述像 素电极与前述对向电极未相对向之领域徐徐变为 较长。3.一种液晶显示装置,包含: 第1基板(10),系予形成像素电极(26); 第2基板(40),系予形成对于前述像素电极(26)为相对 向之对向电极(48);及 液晶60),系予封入在前述第1基板(10)与前述第2基板 (40)之间而具有负的介电率异方性; 而前述对向电极(48)在对应于前述像素电极(26)之 端部近旁领域之领域上具有第1细缝(68)(开缝)。4. 一种液晶显示装置,包含: 第1基板(10),系予形成像素电极(26); 第2基板(40),系予形成对于前述像素电极(26)为相对 向之对向电极(48);及 液晶(60),系予封入在前述第1基板(10)与前述第2基 板(10)之间而具有负的介电率异方性;其特征在于: 具有配向控制机构,系欲予控制液晶分子之配向方 向; 而在前述像素电极(26)之端部近旁领域上的前述像 素电极(26)与前述对向电极(48)之离间距离,乃比除 去前述像素电极(26)之前述端部近旁领域之外的领 域上之前述像素电极(26)与前述对向电极(48)之离 间距离为较短。5.如申请专利范围第4项之液晶显 示装置,其中 前述像素电极系予形成为延存于形成在前述第1基 板上之补助容量电极上,且依前述补助容量电极而 使前述像素电极之前述端部近旁领域,与前述对向 电极之离间距离成为较短。6.如申请专利范围第1 项之液晶显示装置,其中,该装置更具有: 配向控制机构,系欲予控制液晶分子之配向方向; 而前述液晶乃具有负之介电率异方性。7.如申请 专利范围第3项之液晶显示装置,其中,该装置更具 有: 配向控制机构,系欲予控制液晶分子之配向方向; 而前述液晶乃具有负之介电率异方性。8.如申请 专利范围第6项之液晶显示装置,其中: 前述配向控制机构,系为予以形成在前述像素电极 及/或形成在前述对向电极上之突起,或者,予以形 成在前述像素电极及/或前述对向电极之第2细缝( 开缝一开口)。9.如申请专利范围第7项之液晶显示 装置,其中: 前述配向控制机构系为形成在前述像素电极及/或 形成在前述对向电极上之突起,或者予以形成在前 述像素电极及/或前述对白电极之第2细缝。10.如 申请专利范围第4项之液晶显示装置,其中: 前述配向控制机构系予形成在前述像素电极及/或 予形成在前述对向电极上之突起,或者,予以形成 在前述像素电极及/或予以形成在前述对向电极之 第2细缝。11.如申请专利范围第8项之液晶显示装 置,其中: 前述配向控制机构,其延存方向乃以连续性作变化 。12.如申请专利范围第9项之液晶显示装置,其中: 前述配向控制机构,其延存方向乃以连续性作变化 。13.如申请专利范围第10项之液晶显示装置,其中: 前述配向控制机构,其延存方向乃以连续性作变化 。14.如申请专利范围第8项之液晶显示装置上,其 在构成上更具有: 滙流排线,系邻接于前述像素电极; 而前述配向控制机构,系在前述滙流排线之近旁的 前述像素电极上之所定领域上,使液晶分子之配向 方向予以形成为对于前述滙流排线大约成为垂直 。15.如申请专利范围第9项之液晶显示装置,其在 构成上再具有: 滙流排线,系邻接于前述像素电极; 而前述配向控制机构,系在前述滙流排线之近旁的 前述像素电极上之所定领域上,乃予形成为使液晶 分子之配向方向对于前述滙流排线(母线)大约成 为垂直。16.如申请专利范围第10项之液晶显示装 置,其在构成上再具有: 滙流排线,系邻接于前述像素电极; 而前述配向控制机构,系在前述滙流排线之近旁的 前述像素电极上之所定领域上,使液晶分子之配自 方向予以形成为对于前述滙流排线大约成为垂直 。17.一种液晶显示装置,包含: 像素电极(26); 第1基板(10),系在前述像素电极(26)上有予形成第1 配向膜(30); 对向电极(48),系对于前述像素电极(26)为相对向; 第2基板(40),系在前述对向电极(48)上有予形成第2 配向膜(52);及 液晶(60),系予封入在前述第1基板(10)与前述第2基 板(40)之间且具有负之介电率异方性; 而依前述像素电极(26)上之第1领域的前述第1,或前 述第2配向膜所配向液晶分子的前置倾斜角,乃比 与由前述第1领域为相异之前述像素电极(26)上的 第2领域之前述第1或前述第2配向膜所配向之液晶 分子的前置倾斜角为较小。18.如申请专利范围第 17项之液晶显示装置,其在构成上再具有: 滙流排线,系邻接于前述像素电极; 而前述第1领域乃近接于前述滙流排线之领域。19. 如申请专利范围第17项之液晶显示装置,其在构成 上再具有: 第3配向膜,系予形成在前述第2领域之第1或前述第 2配向膜上; 而依前述第3配向膜所配向之液晶分子的前置倾斜 角,乃比依前述第1或第2配向膜所配向之液晶分子 的前置倾斜角为较大。20.一种液晶显示装置之制 造方法,其步骤在于含有: 电极形成工程,系在基板上形成电极; 配向膜形成工程,系在前述电极上形成配向膜;及 前置倾斜角形成工程,系在前述配向膜之第1领域, 以第1照射量照射紫外线,并在与前述第1领域为相 异之前述像素电极上之第2领域的前述配向膜,照 射比第1照射量为较大之照射量的紫外线,而使依 前述第1领域之前述配向膜所配向之具有负的介电 率异方性液晶分子的前置倾斜角,比由前述第2领 域之前述配向膜所配向之具有负的介电率异方性 液晶分子的前置倾斜角成为较小。21.如申请专利 范围第20项之液晶显示装置的制造方法,其中: 在前述紫外线照射工程上,对于紫外线之透过率为 较低之图案,乃使用对应于前述第1领域而所形成 之屏罩予以照射紫外线。图式简单说明: 第1图系表示MVA型之液晶显示装置之平面图。 第2图系第1图之A-A'线截面图。 第3图系表示依本发明之第1实施态样的液晶显示 装置之概略性截面图。 第4图系表示依本发明之第1实施态样的液晶显示 装置之透过率特性的模拟结果之图表。 第5图系表示依本发明之第1实施态样的变形例之 液晶显示装置的概略性平面图。 第6图系表示依本发明之第1实施态样的变形例之 液晶显示装置的概略性截面图。 第7图系表示依本发明之第2实施态样的液晶显示 装置之概略性截面图。 第8图系表示依本发明之第2实施态样的液晶显示 装置之像素电极的平面图。 第9图系表示依本发明之第2实施态样的液晶显示 装置之透过率特性的模拟结果之图表。 第10图系表示依本发明之第3实施态样的液晶显示 装置之概略性截面图。 第11图系表示依本发明之第3实施态样的液晶显示 装置之透过率特性的模拟结果之图表(其1)。 第12图系表示依本发明之第3实施态样的液晶显示 装置之透过率特性的模拟结果之图表(其2)。 第13图系表示依本发明之第4实施态样的液晶显示 装置之概略性截面图。 第14图系表示依本发明之第4实施态样的液晶显示 装置之透过率特性的模拟结果之图表。 第15图系表示依本发明之第4实施态样的变形例之 液晶显示装置之概略性截面图。 第16图系表示依本发明之第5实施态样的液晶显示 装置之突起的图案之平面图。 第17图系表示依本发明之第5实施态样的变形例之 液晶显示装置的突起之图案的平面图。 第18图系表示依本发明之第6实施态样的液晶显示 装置之平面图及动作概念图。 第19图系表示依本发明之第6实施态样的液晶显示 装置之制造方法的截面图。 第20图系表示UV光之照射量与前置倾斜角之关系的 图表。 第21图系表示依本发明之第7实施态样的液晶显示 装置之平面图及动作概念图。 第22图系表示依本发明之第7实施态样的液晶显示 装置之制造方法的截面图。 第23图系表示依本发明之第7实施态样的变形例之 液晶显示装置的概略性平面图。 第24图系表示依本发明之第8实施态样的液晶显示 装置之概略性截面图。 第25图系表示习知之MVA方式的液晶显示装置之概 略性截面图。 第26图系表示差异(差别)之发生状态的概念图。 第27图系表示习知之MVA方式的液晶显示装置之透 过率特性的模拟结果之图表。 第28图系表示提案中之液晶显示装置的概略性截 面图。 第29图系表示提案中之液晶显示装置的透过率特 性之模拟结果的图表(其1)。 第30图系表示提案中之液晶显示装置的透过率特 性之模拟结果的图表(其2)。 第31图系表示提案中之液晶显示装置的透过率特 性之模拟结果的图表(其3)。 第32图系表示习知之液晶显示装置的概略图。 |
