| 主权项 |
1.一种于半导体元件制程中研磨一底材之研磨系 统,该研磨系统至少包含: 至少两种不同型式的研磨模组,该些研磨模组以任 意顺序排列,起始于一第一研磨模组,结束于一最 终研磨模组; 一传送装置,系用以将该底材传送至该些研磨模组 ; 一卸载站,于该最终研磨模组结束研磨后,该传送 装置卸载该底材于该卸载站;及 一装载站,于该第一研磨模组开始研磨前,该传送 装置装载该底材于该装载站。2.如申请专利范围 第1项之系统,其中上述该些研磨模组至少包含: 一研磨表面; 一可移动之底材载具,用于固持住该底材,置于该 研磨表面上,该研磨表面及该底材载具至少一个可 相对移动而在该底材和该研磨表面间产生相对运 动;及 一研浆供应器,供应一研浆至该研磨表面。3.如申 请专利范围第1项之系统,其中上述该传送装置至 少包含一多数的载具端,用于固持住该底材。4.如 申请专利范围第1项之系统,其中上述该些研磨模 组至少包含一旋转型及一轨道型化学机械研磨装 置。5.如申请专利范围第1项之系统,更包含一控制 装置,用以控制该传送装置的移动。6.如申请专利 范围第1项之系统,更包含一清洁装置,用以清洁该 底材。7.如申请专利范围第1项之系统,其中上述该 些研磨模组之一至少包含一清洁装置,用以清洁该 底材。8.一种于半导体元件制程中利用一研磨系 统平坦化一底材之方法,该研磨系统至少包含至少 两种不同型式的研磨模组,一传送装置,一装载站, 及一卸载站,且该些研磨模组以任意顺序排列,起 始于一第一研磨模组,结束于一最终研磨模组,其 步骤至少包含: 于该装载站,装载该底材到该传送装置; 以该第一研磨模组到该最终研磨模组的顺序,依序 研磨及传送该底材于该些研磨模组;及 于该最终研磨模组结束研磨后,由该传送装置卸载 该底材于该卸载站。9.如申请专利范围第8项之方 法,其中上述该些研磨模组至少包含一旋转型及一 轨道型化学机械研磨装置。10.如申请专利范围第9 项之方法,其中上述依序研磨及传送该底材之该步 骤至少包含: 传送该底材至该旋转型化学机械研磨,装置; 于该旋转型化学机械研磨装置,研磨该底材达一第 一阶段; 研磨达该第一阶段后,传送该底材至该轨道型化学 机械研磨装置; 于该轨道型化学机械研磨装置,研磨该底材达一第 二阶段;及 研磨达该第二阶段后,传送该底材至该卸载站。11. 如申请专利范围第8项之方法,其中上述该研磨系 统更包含一清洁装置,用以清洁该底材。12.如申请 专利范围第11项之方法,更包含于该清洁装置清洁 该底材。13.如申请导利范围第8项之方法,其中上 述该些研磨模组之一至少包含一清洁装置,用以清 洁该底材。14.一种于半导体元件制程中利用一研 磨系统平坦化一底材之方法,该研磨系统至少包含 一第一研磨模组,一第二研磨模组,一传送装置,一 装载站,及一卸载站,且该第一研磨模组及该第二 研磨模组依起始于该第一研磨模组,结束于该第二 研磨模组之顺序排列,其步骤至少包含: 于该装载站,装载该底材到该传送装置; 以该第一研磨模组到该第二研磨模组的顺序,依序 研磨及传送该底材于该第一研磨模组及该第二研 磨模组;及 于该第二研磨模组结束研磨后,由该传送装置卸载 该底材于该卸载站。15.如申请专利范围第14项之 方法,其中上述该第一研磨模组系由下列所选出, 一旋转型,一轨道型,一固定研磨粒子型,及一线型 之化学机械研磨装置。16.如申请专利范围第15项 之方法,其中上述该第二研磨模组系由下列所选出 ,一旋转型,一轨道型,一固定研磨粒子型,及一线型 之化学机械研磨装置。17.如申请专利范围第14项 之方法,其中上述依序研磨及传送该底材之该步骤 至少包含: 传送该底材至该第一化学机械研磨装置; 于该第一化学机械研磨装置,研磨该底材达一第一 阶段; 研磨达该第一阶段后,传送该底材至该第二化学机 械研磨装置; 于该第二化学机械研磨装置,研磨该底材达一第二 阶段;及 研磨达该第二阶段后,传送该底材至该卸载站。18. 如申请专利范围第14项之方法,其中上述该研磨系 统至少包含一清洁装置,用以清洁该底材。19.如申 请专利范围第18项之方法,更包含于该清洁装置清 洁该底材。20.如申请专利范围第14项之方法,其中 上述该些研磨模组之一至少包含一清洁装置,用以 清洁该底材。图式简单说明: 第一图系旋转型化学机械研磨装置之简易图; 第二图系轨道型化学机械研磨装置之简易图; 第三图系固定研磨粒型化学机械研磨装置之简易 图; 第四图系线型化学机械研磨装置之简易图; 第五图系本发明之四方型研磨系统示意图; 第六图系本发明之平行型研磨系统示意图;及 第七图系本发明之五角型研磨系统示意图。 |
