半导体装置之制造方法

摘要

本发明之目的在于提供一种半导体装置之制造方法，其系在半导体装置之制造步骤中，藉由确实除去因切割或焊接等而产生之异物等，可提升半导体装置制造中之良率，同时并可防止制造步骤之增加。本发明之半导体装置的制造方法，其步骤系包括：在形成复数半导体元件之半导体晶圆的元件形成表面，形成一由水性单体与硷可溶性单体之共聚合体所构成的保护膜，切割半导体晶圆而分离保护膜以及各半导体元件，将所分离之各半导体元件安装于构装，除去残留于半导体元件表面之保护膜的步骤。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,其特征在于包括如 下步骤:在形成复数半导体元件之半导体晶圆的元 件形成表面,形成一由疏水性单体与硷可溶性单体 之共聚合体所构成的保护膜,切割半导体晶圆而分 离保护膜以及各半导体元件,将所分离之各半导体 元件安装于构装中,除去残存于半导体元件表面之 保护膜。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中疏 水性单体乃选丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、苯乙烯 、a-甲基苯乙烯、醋酸乙烯酯及氯化乙烯酯所构 成之1种或2种以上的单体,硷可溶性单体为丙烯酸 及/或甲基丙烯酸。3.根据申请专利范围第1或2项 之方法,其中在共聚合体中之硷可溶性单体的共聚 合比为且10~80莫耳%。图式简单说明: 图l(a)、(b)、(c)、(d)系用以说明本发明半导体装置 之制造方法的一实施例,其要部之概略断面制造步 骤图。 图2(a)、(b)、(c)、(d)、(e)系用以说明习知半导体装 置之制造方法的一实施例,其要部之概略断面制造 步骤图。