| 发明名称 | 半导体器件的制造方法及其制造生产线 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可对应多种晶片尺寸的半导体器件的制造方法及其制造生产线,该半导体器件的制造生产线使用6英寸(150±3mm:SEAJ规格)以下直径的半导体晶片作为半导体衬底,对该半导体衬底实施一连串的处理,在半导体衬底上形成集成电路,制造生产线由规格相同的2个子生产线、这些子生产线各自包括的成膜装置、图形曝光装置、腐蚀装置和测试装置的一连串处理装置构成,在至少一个图形曝光装置和一个腐蚀装置中,可进行0.3μm以下的微细加工,而且具有在所述两个子生产线之间相互运送处理中途的半导体衬底的机构。 | ||
| 申请公布号 | CN1347566A | 申请公布日期 | 2002.05.01 |
| 申请号 | CN00806279.X | 申请日期 | 2000.04.11 |
| 申请人 | 东京电子株式会社 | 发明人 | 井上准一;浅川辉雄;杉山一彦 |
| 分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：包含有在半导体衬底上形成的构成部位的最小加工尺寸为0.3μm以下的加工工序，使用具有6英寸以下直径的半导体晶片用作所述半导体衬底。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||