发明名称 | 用于检验介电薄膜可靠性的方法 | ||
摘要 | 一种用于检验在半导体基片上的介电薄膜的可靠性的方法:确立第一级的电流值并施加于介电薄膜;施加对应后续各级的下一个电流直到介电薄膜被击穿,其中,各级的电流值按续增加;测量电荷值直到介电薄膜被击穿,其中对应于各级的电流值被一预定的分母值除,而且各被除的那些值被分成所述分母那么多次施加到介电薄膜上,在将被除的值的电流施加到介电薄膜上之后,在预定的时间就介电薄膜是否被击穿进行测量。$ | ||
申请公布号 | CN1083984C | 申请公布日期 | 2002.05.01 |
申请号 | CN95120985.X | 申请日期 | 1995.12.31 |
申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 严今榕 |
分类号 | G01R31/12 | 主分类号 | G01R31/12 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
主权项 | 1、一种用于检验沉积在半导体基片上的介电薄膜的可靠性的方法,此方法包括下述步骤:确立相应于一第一级的电流值,其中,该电流首先被施加到所述介电薄膜上;向所述介电薄膜施加所确立的第一级电流;施加下一个对应于后续每一级的电流直到介电薄膜击穿,其中对应后续各级的电流值随后续的那些级的顺序增加;以及测量电荷值直到介电薄膜被击穿,其中对应所述各级的电流被一预定的分母值除,而且将除得的值分成所述分母值那么多次数不连续地施加到介电薄膜上;在除得值的电流施加到介电薄膜上之后,在一预定的时间就介电薄膜是否击穿进行测量。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |