半导体器件及其制造方法

摘要

为折衷关断特性和导通特性,在衬底一面上形成N型缓冲层和低注入发射极构造的P型集电极层10。N型漂移层的厚度确保耐压。在衬底另一面上形成P型基极层、N型发射极层以及P型接触层。N型低电阻层降低了结型场效应晶体管效果。发射极电极与N型发射极层以及P型接触层连接,集电极与P型集电极层连接。栅电极被形成在P型基极层表面部分的沟道区域上的栅绝缘膜上。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于：具备：第1导电型的第1基极层；第2导电型的集电极层，被形成在上述第1基极层的一面上；第1导电型的缓冲层，被形成在上述第1基极层和上述集电极层之间；第2导电型的第2基极层，被有选择地形成在上述第1基极层的另一面上；第1导电型的发射极层，被形成在上述第2基极层内；栅电极，被形成在位于上述发射极层和上述第1基极层之间的上述第2基极层的第1表面区域上，上述第1基极层，由半导体衬底构成，上述集电极层、上述第2基极层以及上述发射极层，分别由上述半导体衬底内的扩散层构成，上述集电极层的扩散深度，被设定在1μm以下。