发明名称 | 金属导线的制造方法 | ||
摘要 | 一种金属导线的制造方法,先提供半导体基底,其形成有导电区域。接着,全面形成一绝缘层,以覆盖半导体基底。然后在绝缘层表面形成牺牲层。其次选择蚀刻牺牲层及绝缘层,以形成露出导电区域的镶嵌结构。之后全面形成金属层,其填入镶嵌结构。然后化学机械研磨金属层,来去除牺牲层表面的金属层,留下当作金属导线的金属结构。本发明避免在化学机械研磨过程中导致金属凹陷及绝缘层被磨掉所产生的腐蚀,并提高曝光的分辨率。 | ||
申请公布号 | CN1347148A | 申请公布日期 | 2002.05.01 |
申请号 | CN00130455.0 | 申请日期 | 2000.10.11 |
申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 颜俊耀;李惠民 |
分类号 | H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种金属导线的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,该半导体基底形成有一导电区域;(b)全面性形成一绝缘层,以覆盖上述半导体基底;(c)在上述绝缘层表面形成一牺牲层;(d)选择性蚀刻上述牺牲层以及上述绝缘层,以形成一露出上述导电区域的镶嵌结构; (e)全面性形成一金属层,该金属层填入上述镶嵌结构;以及(f)化学机械研磨上述金属层,以去除上述牺牲层表面的金属层,而留下一当作金属导线的金属结构。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园 |