发明名称 | 改进的静电放电二极管结构 | ||
摘要 | 一种ESD二极管对电路进行抗静电放电(ESD)保护。此ESD二极管具有4个相邻的区域。借助于对半导体衬底进行掺杂使之具有P型导电而形成第一和第三区域。借助于对半导体衬底进行掺杂使之具有N型导电而形成第二和第四区域。当第四区域被连接到电路的正电源线时,第一区域被用来连接到被保护电路的信号端子。当第一区域被连接到电路的地线或负电源线时,第四区域被用来连接到信号端子。 | ||
申请公布号 | CN1347568A | 申请公布日期 | 2002.05.01 |
申请号 | CN00806294.3 | 申请日期 | 2000.12.05 |
申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | R·A·科尔克拉泽;D·M·西米德 |
分类号 | H01L27/02 | 主分类号 | H01L27/02 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 罗朋;王忠忠 |
主权项 | 1.一种对电路(110)进行静电放电保护的设备(210),它具有4个相邻的区域,所述设备(210)包含:由p型导电的半导体衬底构成的第一区域(310)和第三区域(330);由n型导电的半导体衬底构成的第二区域(320)和第四区域(340);其中,当所述第四区域(340)被连接到所述电路(110)的正电源线(140)时,所述第一区域(310)被用来连接到所述电路(110)的信号端子(115和120),且其中,当所述第一区域(310)被连接到所述电路的地线(135)和负电源线之一时,所述第四区域(340)被用来连接到所述信号端子(115和120)。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |