高效发光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及基本电气元件中的一种半导体及其器件方法。它主要是通过减小发光二极管发光侧电极对光的吸收，利用金属气相淀积法制造的高效发光二极管，它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展层、欧姆接触层，其中磷化铝镓铟(AlGaInP)混晶层12、13、14形成双异质结或多量子阱发光区，各结晶层是用有机金属气相淀积法连续形成的。本发明具有结构简单、制造技术可靠、以及成本低，因此具有实用性。$

主权项

1.一种高效发光二极管，它包括有衬底、下限制层、活型区、上限制层、扩展区和欧姆接触层；其特征在于：其中在具有第一导电型的砷化镓衬底上，用化学气相淀积方法先生长厚度在1-2微米之间的第一导电型的磷化铝镓铟限制层；然后生长厚度在0.1-1微米之间的一个非故意掺杂的磷化铝镓铟单层或多层量子阱结构活型区；再生长厚度在1-2微米之间的具有第二导电型的磷化铝镓铟上限制层；接着生长厚度大于5微米的具有第二导电型的砷化铝镓/砷化铝/砷化铝镓夹层结构的电流扩展层，并掺入少量磷；最后生长一个具有第二导电类型的砷化镓欧姆接触层；在上述各层生长完成后，利用光刻掩蔽化学腐蚀方法从最后生长的欧姆接触层上表面将夹层结构的电流扩展层中的砷化铝结晶层暴露出来，形成氧化窗口，最后利用真空蒸镀技术在最后生长的欧姆接触层上下表面分别形成相应导电类型的金属电极。