| 摘要 |
Si 기판(1)을 산처리 등에 의해서 세정하고 가열하여 표면의 부착물을 제거한다. 다음에, Si 기판(1)의 표면에 플라즈마화된 질소를 공급하여, 라디칼질소의 계면활성제효과에 의해 Si 기판(1)의 표면 상에 Si 결정과는 격자정합하고 있지 않는 AlN 결정층(80)을 형성한다. AlN 결정층(80)의 격자간거리는 AlN 결정체 본래의 격자정수에 거의 일치하기 때문에, Si 기판(1)과 격자정합하고 있는 경우와 같이, Al 결정층(80)에는 Si 기판(1)과의 격자정수의 상위에 기인하는 왜곡이 내재하는 일이 없다. |
