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发明名称 METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>플로팅게이트가 소오스 및 드레인 위의 영역까지 연이어 있는 플래시메모리를 종래에 비교하여 보다 짧은 공정수로 제조할 수 있게 한다. 게이트절연막 (102) 및 층간절연막 (122) 이 형성된 위에, 불순물이 도입된 폴리실리콘막을 형성하고, 이것을 공지된 포토리소그래피 기술 및 에칭 기술을 이용하여 패터닝함으로써 플로팅게이트 (103) 를 형성한다.</p>
申请公布号 KR100334477(B1) 申请公布日期 2002.04.26
申请号 KR19990021802 申请日期 1999.06.11
申请人 null, null 发明人 쓰꾸이마사루
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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