Hochfrequenz-Anpassungseinheit

摘要

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Anpassen der Impedanz eines Hochfrequenzgenerators an die Impedanz einer Hochfrequenzlast bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen unter Verwendung eines Plasmas. Die Vorrichtung enthält einen veränderlichen Induktor, der mit einem veränderlichen Kondensator und einem unveränderlichen Kondensator gekoppelt ist, wobei der veränderliche Induktor zwei Induktoren aufweist, die miteinander seriell elektrisch gekoppelt sind und einander benachbart angeordnet sind. Zumindest einer der beiden Induktoren wird beweglich angeordnet, um den magnetischen Fluß des einen Induktors mit dem magnetischen Fluß des anderen Induktors zu überlagern, wodurch die Induktivität des veränderlichen Induktors gesteuert wird. Im Fall eines plasmaverstärkten Halbleiterwaferverfahrensystems kann die Vorrichtung Zeit einsparen, die zur Hochfrequenzanpassung zwischen dem HF-Generator und der HF-Last notwendig ist, wodurch die Lebensdauervorrichtung verlängert wird.