| 摘要 |
<p>본 발명은 소자의 정전용량과 접촉저항이 동시에 감소하는 초고속 반도체 광변조기에 관한 것이다. 이러한 초고속 반도체 광변조기는, 기판 위에 n형 광도파로층과, 광흡수층, p형 광도파로층, p형 클래드층, 및 p형 옴접촉층이 순차적으로 적층되는 리지(ridge) 구조의 전계흡수형 광변조기에 있어서, 상기 광흡수층의 폭(W3)은 상기 옴접촉층의 폭(W1)보다 작게 형성된다. 본 발명에 의하면, 광변조기의 특성저하요소인 접촉저항과 정전용량을 동시에 저감시킬 수 있기 때문에 변조특성이 우수한 수십 기가급의 초고속 광변조가 가능해진다.</p> |
