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<p>본 발명은 고보자력 자성박막의 후열처리 온도를 낮추고 후열처리 시간을 단축시키기 위하여, 상압하의 산소 분율이 1 - 100% 인 산소 + 알곤 분위기 로에서 자성박막의 비규칙/규칙 상변이 온도 이상의 온도로 자성박막을 후열처리하는 FePt 또는 CoPt 자성박막의 후열처리방법과, 1 X 10torr 이하의 진공도하의 산소분율이 50% - 10%인 산화 분위기에서 자성박막의 비규칙/규칙 상변이 온도 이상의 온도로 자성박막을 후열처리하는 FePt 또는 CoPt 자성박막의 후열처리방법을 제공한다.</p> |
