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Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige Halbleiterspeicherzellenanordnung und ein Verfahren zu deren Hertstellung, wobei sich die Halbleiterspeicherzellen (Z32, Z42) in einem Substrat unmittelbar berühren, wodurch durchgehende Source/Draingebiete (S1, D1) entstehen, die paarweise als Bitleitungen (BL1, BL2, BL3) spaltenförmig angeordnet sind. Erste Wortleitungen sind hierbei fotolithografisch zeilenförmig ausgebildet, wobei zweite Wortleitungen (WL1, WL3) durch Auffüllen der Zwischenbereiche zwischen den ersten Wortleitungen (WL2, WL4, WL6) ausgebildet sind. Auf diese Weise erhält man eine extrem dichte Halbleiterspeicherzellenanordnung, die einfach und kostengünstig herzustellen ist.
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