| 发明名称 |
Hochvolt-Diode und Verfahren zu deren Herstellung |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Hochvolt-Diode sowie ein Verfahren zu deren Herstellung, bei denen unter Verwendung von Justage-Strukturen (6) und eines Chipping-Stoppers mit einer Randpassivierung (12) aus a-C:H oder a-Si nur drei Maskenschritte benötigt werden.
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| 申请公布号 |
DE10047152(A1) |
申请公布日期 |
2002.04.25 |
| 申请号 |
DE20001047152 |
申请日期 |
2000.09.22 |
| 申请人 |
EUPEC EUROPAEISCHE GESELLSCHAFT FUER LEISTUNGSHALBLEITER MBH & CO. KG;INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
MAUDER, ANTON;PFIRSCH, FRANK;SCHMIDT, GERHARD;BARTHELMES, REINER |
| 分类号 |
H01L21/322;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/861;H01L29/868 |
主分类号 |
H01L21/322 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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