发明名称 对磁电阻存储器中单元电阻估值的装置
摘要 本发明的主题涉及一种MRAM的估值电路,其中以简单的方式借助两个相邻的参考单元实现了估值可靠性的实质性改进。
申请公布号 CN1346492A 申请公布日期 2002.04.24
申请号 CN00805799.0 申请日期 2000.03.13
申请人 因芬尼昂技术股份公司 发明人 R·特维斯;W·韦伯
分类号 G11C11/16;G11C7/14 主分类号 G11C11/16
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张志醒
主权项 1.对磁电阻存储器中单元电阻估值的装置,其中除一个相应的单元电阻(R)外还同时有两个相邻的参考单元电阻(RR1,RR2)可与一个字导线电压(VWL)相连接,其中一个相应的位导线(y)通过一个相关的单元电阻(R)及同时两个相应的邻近参考位导线(y+3,y-4)通过相应的参考单元电阻(RR1,RR2)可与一个公用的字导线电压(VWL)相连接,其中参考单元电阻与一个反馈放大器(OP2,RG2)一起构成一个求和放大器,其中相应的单元电阻与另一反馈放大器(OP1,RG1)一起构成具有与求和放大器相同放大系数的一个放大器,及其中求和放大器的输出端及另一放大器的输出端各与一个比较器的一个输入端相连接,及该比较器的输出端输出一个与相应单元电阻相关的估值信号(VOUT)。
地址 德国慕尼黑