| 发明名称 |
Method for reactive-ion etching and apparatus therefor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2331273(B) |
申请公布日期 |
2002.04.24 |
| 申请号 |
GB19980020639 |
申请日期 |
1998.09.22 |
| 申请人 |
* NATIONAL RESEARCH INSTITUTE FOR METALS;* JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION |
发明人 |
ISAO * NAKATANI |
| 分类号 |
G11B5/31;H01F41/18;H01F41/30;H01F41/34;(IPC1-7):G11B5/39;C22C38/00;H01L21/306 |
主分类号 |
G11B5/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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